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BSM100GT120DN2中文资料

  • 大小:180.15KB
  • 厂家:SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述:IGBT Power Module (Three single switches Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 模块
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流:150 A
  • 栅极—射极漏泄电流:400 nA
  • 功率耗散:680 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:EconoPACK 3A
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 安装风格:Screw
  • 工厂包装数量:10

BSM100GT120DN2供应商

更新时间:2023-01-07 05:40:53
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